如何挖掘NAND Flash的IO性能

和并发读操作类似，两个Plane之间的并发写也不是随意的，需要同时做相同的操作。两个Plane的并发操作需要同时发起命令。对于写操作，首先需要加载两个Plane的访问地址。第一个地址期的结束符11H不会触发真正的编程操作；第二个地址期的结束符10H才会真正触发编程操作。一旦编程操作启动之后，状态信号R/B#就会置低，直到编程操作完成，状态信号才能恢复。

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两个Plane的并发擦除操作时序如下图所示：

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和读写操作的原理一样，两个Plane的并发擦除需要同时加载两个Plane的地址信息，然后后台并发同时执行擦除操作。和串行操作相比，这种并发操作可以提升NAND Flash的整体性能。

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（编辑：东莞站长网）

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